集束イオンビーム装置(FIB)(日立FB-2000A)

                                           設置場所: 微細構造解析室  担当者:若山登
分析できること
Ga(ガリウム)イオンビームを使用して、複雑な構造をした試料の特定箇所の断面を薄片化して、TEMあるいはSEMの観察用試料を作製することができる。高い位置精度で正確に観察・分析し、迅速に、必要な情報をご提供することができる。
・削る、掘るスパッタリングによる微細加工ができる1μm以下の位置精度と
100nm以下の薄膜加工が可能
・見る二次イオンを検出してSIM像が観察できる像分解能10nm以下
・積む試料表面に有機ガス(W(CO)6など)を吹き付けながら
イオンビームを照射することで成膜ができる。

分析原理
きわめて細く集束したGaイオンビームを試料表面で走査することにより、発生した二次電子などを検出してSIM像を観察したり、試料表面を加工したりすることのできる装置である。

試料サイズについて
・SEM観察用
サイズ9.5 x 5 x 2.4(h) mm
・TEM観察用
φ3mmの切欠きメッシュを使用し、φ2.5mm以内に収まる大きさの試料サイズ
切欠きメッシュへの試料固定の注意点
・脱ガス量の少ない接着剤を使用する
・接着剤がFIB加工面に付着しないように気をつける
・FIB加工部がメッシュ底面から0.3mm以内になるように試料を固定する
・FIB加工場所がメッシュの中央にくるように固定する
・IB加工面が切欠きメッシュの開いている方向に向くように固定する

利用にあたっての注意点
・試料前処理は利用者が行うこと
・試料作製にあたり要相談
・無機材料の加工に利用できる
・試料は完全に乾燥させること
・絶縁物試料表面は蒸着などにより導電性にすること
・磁性材料は観察中に飛散するため、強固な接着剤を使用すること(要相談)

安全に関する注意事項
・CRT画面を見ながらの作業のため、視力障害を起こす可能性がある。
・装置の警告表示と警告内容を理解して、安全に取扱い人身上の障害や装置の破損を防ぐこと。